| 院校名称： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 | 级别： | 国家级 |
| 地 址： | 天津市南开区卫津路94号 | 邮 编： | 300071 |
| 联系人： | 孙钟林 | 电 话： | 022--23501834 |
| 传 真： | 23501834 | E-mail： | |
| 网 址： | http://未填 | ||
| 单位简介： | |||
| 【 科研成果 】在光电子薄膜材料研究方面,对非晶体硅中微量掺杂、a-Si中的原生对复合、低温微晶化 ,无定形硅小迁移率值等方面问题有深入的研究;非晶硅太阳电池“七五”攻关结束时,在大面积 单结非晶电池上已达到80年代末国际先进水平;目前大面积a-Si/a-Si叠层电池的稳定效率及用 低温快速固相晶化研制的多晶硅薄膜晶粒尺寸达到当前国际先进水平;CuInSe2/CdS太阳电池采 用蒸发、硒化方法研制出国内领先水平的CuInSe2/CdS异质结薄膜太阳电池;在液晶显示研究方 面,于1992年底研制出我国第一块具有动态显示功能的a-Si TFT液晶屏;在1995年底研制出我国 第一块3英寸视觉感受无缺陷的a-Si TFT-LCD动态图象显示系统。 【 科研设备 】拥有近1000平方米的实验pgcf用房,其中400平方米的超净实验室作为巨微电子学技术的研 究线,还有一条300平方米的以分室连续沉积技术为其特点的非晶硅太阳电池研制线,其余为材料 与器件分析测试专用实验室。 【学科研究范围 】重点是薄膜光电子学与光电子器件,包括:薄膜光电子学理论、半导体材料与半导体器件物 理、巨微电子学技术(薄膜材料、大面积微细加工技术、复合层薄膜材料界面)及光电子器件(面 阵光探测器、a-Si太阳电池、a-Si TFT-LCD等。 【 机构类别 】D 【 所在地代码 】120100 【 学科分类 】电子、通信与自动控制技术 【 关键词 】半导体物理; 半导体材料; 微电子技术; 光电器件; 薄膜光电子学; 天津 |
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